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    从0到1,这些新锐品牌在抖音做对了什么?

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宜特晶圆减薄能力达1.5mil

发布时间:2021/01/08 新闻 浏览次数:380

使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析

宜特(TWSE: 3289)于1月6日宣布,晶圆后端工艺厂(竹科二厂),通过客户肯定,成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术,技术门坎大突破。同时,为更专注服务国际客户,即日起成立宜锦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。

宜特指出,功率半导体进行“减薄”,一直都是改善工艺,使得功率组件实现“低功耗、低输入阻抗”最直接有效的方式。晶圆减薄除了有效减少后续封装材料体积外,还可因降低RDS(on)(导通阻抗)进而减少热能累积效应,以增加芯片的使用寿命。

但如何在减薄工艺中降低晶圆厚度,又同时兼顾晶圆强度,避免破片率居高不下之风险自晶圆减薄最大的风险。

为解决此风险,iST宜特领先业界,已完成2mil(50um)、1.5mil(38um),甚至到0.4mil(10um)减薄技术开发,iST宜特更藉由特殊的优化工艺,在降低晶圆厚度的同时,也兼顾晶圆强度,可将研磨损伤层(Damage layer)降到最低。

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